陰化合(he)物裝運體系、鋰(li)枝晶種植(zhi)體系、固(gu)-固(gu)畫(hua)(hua)質(zhi)情況是nvme膏(gao)狀(zhuang)硬(ying)盤安(an)裝電(dian)瓶(ping)(ping)要面對的(de)幾大情況：雖說nvme膏(gao)狀(zhuang)硬(ying)盤安(an)裝電(dian)瓶(ping)(ping)卡(ka)路里(li)比(bi)熱容(rong)與安(an)全(quan)的(de)性占優，但nvme膏(gao)狀(zhuang)硬(ying)盤安(an)裝電(dian)瓶(ping)(ping)外部固(gu)-固(gu)畫(hua)(hua)質(zhi)能壘高出現鋰(li)陰化合(he)物傳送速(su)率單位低、鋰(li)枝晶種植(zhi)、畫(hua)(hua)質(zhi)癥狀(zhuang)、并且 鋰(li)金屬件和膏(gao)狀(zhuang)電(dian)解(jie)設(she)備質(zhi)(SE)范圍(wei)內的(de)工具接觸的(de)面積等仍要有情況，出現原材料nvme膏(gao)狀(zhuang)硬(ying)盤安(an)裝電(dian)瓶(ping)(ping)充電(dian)流(liu)時速(su)差(cha)，循壞使用時間如果(guo)低于常用固(gu)體電(dian)瓶(ping)(ping)。

鋰枝晶成長系統(tong)：固態硬盤安裝(zhuang)鋰電安全(quan)可靠性(xing)挑戰(zhan)賽

鋰枝晶在(zai)(zai)動(dong)力(li)電(dian)(dian)池(chi)箱里面(mian)生(sheng)長易誘(you)發安(an)(an)全(quan)防護(hu)管理危(wei)險 ：固態硬盤(pan)(pan)安(an)(an)裝硬盤(pan)(pan)電(dian)(dian)解拋(pao)光(guang)法(fa)質即(ji)使都(dou)具(ju)有高設備(bei)抗拉強度，但還仍未基本抑(yi)制(zhi)性鋰枝晶的生(sheng)長和滿足鋰合金的勻(yun)稱(cheng)堆積。鋰合金機會(hui)在(zai)(zai)負極外觀造(zao)成的枝晶，或是在(zai)(zai)固態硬盤(pan)(pan)安(an)(an)裝硬盤(pan)(pan)電(dian)(dian)解拋(pao)光(guang)法(fa)質里面(mian)成核，造(zao)成的動(dong)力(li)電(dian)(dian)池(chi)箱短(duan)路(lu)故障，最終得以誘(you)發安(an)(an)全(quan)防護(hu)管理危(wei)險 。

只能根據Monroe和Newman對模型，在應(ying)用(yong)場(chang)景匯聚(ju)物(wu)鈦(tai)(tai)電極質(zhi)的(de)(de)(de)鋰(li)(li)(li)鋁(lv)合金鋰(li)(li)(li)電池工作體(ti)系中，當nvme固(gu)態(tai)硬(ying)盤(pan)安(an)裝(zhuang)硬(ying)盤(pan)鈦(tai)(tai)電極質(zhi)的(de)(de)(de)拷貝(bei)模量多于鋰(li)(li)(li)鋁(lv)合金拷貝(bei)模量的(de)(de)(de)兩倍時，可能可抑制鋰(li)(li)(li)枝晶(jing)的(de)(de)(de)發育。應(ying)用(yong)場(chang)景此(ci)概(gai)念，高(gao)拷貝(bei)模量的(de)(de)(de)有(you)機物(wu)nvme固(gu)態(tai)硬(ying)盤(pan)安(an)裝(zhuang)硬(ying)盤(pan)鈦(tai)(tai)電極質(zhi)被觀點能有(you)效的(de)(de)(de)解決處(chu)理鋰(li)(li)(li)鋁(lv)合金負極的(de)(de)(de)枝晶(jing)問題。不過(guo)，對於(wu)拷貝(bei)模量較高(gao)的(de)(de)(de)有(you)機物(wu)nvme固(gu)態(tai)硬(ying)盤(pan)安(an)裝(zhuang)硬(ying)盤(pan)鈦(tai)(tai)電極質(zhi)，其在局限的(de)(de)(de)直(zhi)流電壓容(rong)重下(xia)反復的(de)(de)(de)時卻也(ye)方(fang)便(bian)行成鋰(li)(li)(li)枝。

加上(shang)劑及(ji)架構(gou)設計(ji)可(ke)仰(yang)(yang)制鋰枝(zhi)晶(jing)的(de)種植：對(dui)締合物nvme固態硬盤安(an)裝(zhuang)電(dian)解法(fa)拋光質(zhi)(zhi)現階段，其軟的(de)特質(zhi)(zhi)沒辦法(fa)拒絕枝(zhi)晶(jing)的(de)確(que)立(li)了(le)，可(ke)也就能(neng)(neng)夠(gou)能(neng)(neng)夠(gou)增進正(zheng)離子導電(dian)性、加上(shang)三聚(ju)氰胺樹脂(zhi)骨料、加上(shang)木制托盤的(de)締合物等途徑(jing)英文來(lai)變更(geng)鋰枝(zhi)晶(jing)的(de)確(que)立(li)了(le)；而相當(dang)于(yu)三聚(ju)氰胺樹脂(zhi)nvme固態硬盤安(an)裝(zhuang)電(dian)解法(fa)拋光質(zhi)(zhi)現階段，就能(neng)(neng)夠(gou)能(neng)(neng)夠(gou)變更(geng)微架構(gou)問(wen)題、增進相對(dui)比較強度單位、拉低(di)電(dian)子無線導電(dian)率、管理系統電(dian)壓強度單位等途徑(jing)英文來(lai)仰(yang)(yang)制鋰枝(zhi)晶(jing)的(de)確(que)立(li)了(le)。

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